三星電子今天宣布，開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別（并不是10nm，預計是14~18nm之間）的DRAM芯片。

其中，單芯片容量8Gb(1GB)。相較1x-nmm，工藝層面上，性能提升10%，功耗和封裝面積減小，能效提升15%。

同時，陣腳帶寬3600Mbps起(可以理解為DDR4-3600)，也比1x-nm時代的DDR-3200進步。

1y-nm工藝，三星沒有引入EUV，而是通過加入高靈敏度的單元數據傳感系統和減少氣隙實現。

與此同時，三星表示，也會進一步加快依賴DRAM技術的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形態存儲芯片的開發工作。

目前，AMD/Intel已經驗證通過1y-nm內存。

此舉還意味著，1x-nm以及更老的工藝的內存成本和最終價格將有望下探。